Samsung сообщает о старте производства чипов на техпроцессе 3 нм, приносящих повышенную скорость при снижении расхода энергии. Было сказано, что они нацелены на вычисления с невысоким энергопотреблением, а потом начнётся производство процессоров для мобильных устройств. Samsung будет применять архитектуру транзисторов Gate-All-Around.
Новые чипы снижают расход энергии на 45%, увеличивают скорость на 23% и занимают меньше места на 16%, если сравнивать с техпроцессом 5 нм. Компания обещает, что во втором поколении уменьшит энергопотребление до 50%, увеличит скорость на 30% и чипы станут занимать на 35% меньше места.
Глава полупроводникового производства компании по такому случаю сообщил, что она продолжает лидировать в деле создания технологий новых поколений, таких как первые металлические затворы High-K, FinFET и EUV. Техпроцесс 3 нм с применением MBCFET должен закрепить это лидерство. Компания обещает продолжать продвигать инновации с целью создания конкурентоспособных технологий.
Samsung не говорит, когда пользователи получат устройства с чипами 3 нм в их составе.
Подписывайтесь на T4S.TECH в Telegram. Публикуем новости, обзоры и забавные факты о технологиях.
